Корзина пуста
Модуль памяти Micron BN-MT25HTF41272FDY80EE1D-TR имеет емкость 4GB и выполнен по технологии DDR3. Этот серверный модуль памяти отличается буферизованной (регистровой) категорией и форм-фактором RDIMM. Его эффективная частота работы составляет 1066МГц, что обеспечивает увеличенную пропускную способность до 8500 Мб/с. Память Micron BN-MT25HTF41272FDY80EE1D-TR также поддерживает ECC коррекцию - технологию, способную автоматически обнаруживать и исправлять возможные ошибки в битах памяти.
Этот модуль разработан для использования в серверах.
Серверный модуль памяти Micron BN-MT25HTF41272FDY80EE1D-TR сертифицирован для продажи.
Для приобретения модуля памяти Micron BN-MT25HTF41272FDY80EE1D-TR в компании beznaltorg.by, заполните онлайн форму запроса или свяжитесь по телефонам: +375(29)3919044, +375(29)3919044