Модуль памяти для сервера Samsung 4GB DDR-333 BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR

нет отзывов

Данный товар доступен к заказу. Уточните стоимость по телефону +375(29)3919044

Артикул: BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR

Заказ: доступен к заказу

Обзор

Описание Оперативная память Samsung 4GB DDR-333 BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR

Модуль памяти Samsung BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR имеет емкость 4GB и выполнен по технологии DDR. Этот серверный модуль памяти является буферизованным (регистровым) RDIMM форм-фактором, обладает эффективной частотой работы в 333МГц для повышенной пропускной способности. Память Samsung BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR поддерживает ECC коррекцию и работает на напряжении 2.5 V с конфигурацией чипов.

Этот модуль предназначен для использования в серверах.

Спецификация модуля Samsung BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR

Технология памяти	DDR	Категория модуля	RDIMM
Емкость модуля	4GB	RANK
Частота	333 MHz	Напряжение питания	2.5 V
Пропускная способность		Конфигурация чипов
Латентность модуля памяти (CAS Latency)		Поддержка ECC	Да

beznaltorg.by предлагает удобный поиск и выбор совместимой оперативной памяти для серверов. Все модули проходят проверку на целостность и гарантированно сертифицированы производителем.

Для заказа памяти Samsung BN-M312L5128AU0CB3Q0-TR 4GB DDR, заполните форму онлайн запроса или свяжитесь по телефонам: +375(29)3919044, +375(29)3919044

Модули памяти для серверов