Модуль памяти для сервера Samsung 4GB DDR-333 BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR

нет отзывов

Данный товар доступен к заказу. Уточните стоимость по телефону +375(29)3919044

Артикул: BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR

Заказ: доступен к заказу

Обзор

Описание Оперативная память Samsung 4GB DDR-333 BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR

Модуль памяти Samsung BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR имеет объем 4GB и предназначен для серверов. Он использует технологию DDR, имеет буферизованный (регистровый) форм-фактор RDIMM и эффективную частоту работы 333МГц для увеличения пропускной способности. Поддерживается ECC коррекция, а напряжение питания составляет 2.5V.

Спецификация модуля Samsung BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR

Технология памяти	DDR	Категория модуля	RDIMM
Емкость модуля	4GB	RANK
Частота	333 MHz	Напряжение питания	2.5 V
Пропускная способность		Конфигурация чипов
Латентность модуля памяти (CAS Latency)		Поддержка ECC	Да

beznaltorg.by предлагает быстрый подбор совместимой оперативной памяти для серверов. Все модули проходят проверку на целостность и имеют гарантию производителя.

Серверный модуль памяти Samsung BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR сертифицирован для продажи.

Для покупки модуля памяти Samsung BN-M312L5128MT0CB3Q0-TR свяжитесь с нами по телефонам: +375(29)3919044, +375(29)3919044

Модули памяти для серверов