Модуль памяти для сервера Samsung 4GB DDR-333 M312L5128MT0-CB3Q0

Данный товар доступен к заказу. Уточните стоимость по телефону +375(29)3919044
Артикул: M312L5128MT0-CB3Q0
Заказ: доступен к заказу

Обзор

+

Описание Оперативная память Samsung 4GB M312L5128MT0-CB3Q0

Оперативная память Samsung 4GB DDR-333 M312L5128MT0-CB3Q0 представляет собой серверный модуль памяти емкостью 4GB, выполненный по технологии DDR. Этот модуль имеет буферизованную (регистровую) категорию и форм-фактор RDIMM. С эффективной частотой работы 333МГц он обеспечивает увеличенную пропускную способность. Кроме того, память Samsung M312L5128MT0-CB3Q0 поддерживает ECC коррекцию и работает на напряжении 2.5 V с конфигурацией чипов.

Данный модуль памяти предназначен для использования в серверах.

Спецификация модуля Samsung M312L5128MT0-CB3Q0

Технология памяти DDR Категория модуля RDIMM
Емкость модуля 4GB RANK
Частота 333 MHz Напряжение питания 2.5 V
Пропускная способность Конфигурация чипов
Латентность модуля памяти (CAS Latency) Поддержка ECC Да

beznaltorg.by предлагает широкий выбор совместимых оперативных памятей для серверов. Все модули памяти Samsung проходят проверку на целостность и имеют гарантию производителя.

Серверный модуль памяти Samsung M312L5128MT0-CB3Q0 сертифицирован для продажи.

Для приобретения модуля памяти Samsung M312L5128MT0-CB3Q0 в компании beznaltorg.by, заполните форму онлайн запроса или свяжитесь по указанным телефонам: A1 , , МТС

У этого товара еще нет отзывов
Оставить отзыв
Ваша оценка: Плохо            Хорошо